2004年以前の国内学会/研究会での発表

• 中原 仁, 鈴木 猛司, 一宮 彪彦, “Ag/Si(111)√3×√3表面の低温構造の解析 II”, 日本物理学会 第59回年次大会 (2004, 福岡).
• 中原 仁, 大屋 強, 鈴木 猛司, 一宮 彪彦, 齋藤 弥八, “反射高速電子回折によるAg/Si(111)√3×√3表面構造相転移の研究”, ISSPワークショップ (2004, 東大物性研).
• 大屋 強, 中原 仁, 鈴木 猛司, 一宮 彪彦, 齋藤 弥八, “Ag/Si(111)√3×√3表面の低温構造の解析 III”, 日本物理学会 2004年秋季大会 (2004, 青森).
• 大屋 強, 中原 仁, 鈴木 猛司, 一宮 彪彦, “一波条件反射高速電子回折によるAg/Si(111)√3×√3低温構造の解析”, 表面科学会 東海支部講演会 (2004, 名古屋).
• 西岡 秀雄, 中原 仁, 一宮 彪彦, 齋藤 弥八, “In/Si(113)の表面再配列構造の研究”, 日本物理学会 2004年秋季大会 (2004, 青森).
• 鈴木 猛司, 中原 仁, 一宮 彪彦, “Ag/Si(111)√3×√3表面の低温構造の解析”, 日本物理学会 2003年秋季大会 (2003, 岡山).
• 鈴木 秀俊, 中原 仁, 一宮 彪彦, “Ga/Si(113)ナノファセットのアニールによる形態変化”, 日本物理学会 2003年秋季大会 (2003, 岡山).
• 中原 仁, 菱田 武司, 一宮 彪彦, “エネルギ分解反射高速電子回折の研究 III”, 日本物理学会 第58回年次大会 (2003, 仙台).
• 水野 義人, 中原 仁, 秋本 晃一, 一宮 彪彦, “Sbを吸着したSi(113)表面再構成構造の研究”, 日本物理学会 2003年秋季大会 (2003, 岡山).
• 鈴木 秀俊, 中原 仁, 一宮 彪彦, “Ga/Si(113)ファセット構造の形成過程”, 日本物理学会 2002年秋季大会 (2002, 春日井).
• 鈴木 秀俊, 中原 仁, 一宮 彪彦, “微傾斜したSi(113)面上のGa吸着構造の研究 II”, 日本物理学会 第57回年次大会 (2002, 名古屋).
• 中原 仁, 菱田 武司, 一宮 彪彦, “反射高速電子回折における非弾性散乱電子の解析”, 日本物理学会 2002年秋季大会 (2002, 春日井).
• 中原 仁, 菱田 武司, 一宮 彪彦, “Inelastic Electron Analysis on Reflection High-Energy Electron Diffraction Condition”, 応用物理学 会東海支部学術講演会 (2002, 名古屋).
• 中原 仁, 菱田 武司, 一宮 彪彦, “反射高速電子回折における非弾性散乱電子の解析”, 第49回 応用物理学関係連合講演会 (2002).
• 鈴木 秀俊, 中原 仁, 一宮 彪彦, “微傾斜したSi(113)面上のGa吸着構造の研究”, 日本物理学会 2001年秋季大会 (2001, 徳島).
• 鈴木 秀俊, 中原 仁, 田窪 暁, 一宮 彪彦, “Ga吸着した高指数Si表面の研究 IV”, 日本物理学会 第56回年次大会 (2001, 東京).
• 菱田 武司, 中原 仁, 一宮 彪彦, “エネルギ分解反射高速電子回折の研究 II”, 日本物理学会 2001年秋季大会 (2001, 徳島).
• 菱田 武司, 中原 仁, 一宮 彪彦, “エネルギ分解反射高速回折の研究”, 日本物理学会 第56回年次大会 (2001, 東京).
• 中原 仁, 菱田 武司, 一宮 彪彦, “エネルギ分解RHEED”, 新プロ 創成的基礎研究 研究会 (2001, 東京).
• 中原 仁, 鈴木 秀俊, 宮田 真次, 一宮 彪彦, “Ga吸着したSi(113)表面におけるナノファセット構造”, ナノ構造の安定性と時間分解画像処理研究会 (2001).
• 中原 仁, 菱田 武司, 一宮 彪彦, “エネルギ分析RHEEDによる結晶表面研究”, 学振マイクロビームアナリシス第141委員会 第104回研究会 (2001, 東京).
• 鈴木 秀俊, 中原 仁, 一宮 彪彦, “Ga吸着したSi(113)上のナノファセット構造の研究”, 日本物理学会 第55回年次大会 (2000, 新潟).
• 鈴木 秀俊, 中原 仁, 宮田 真次, 一宮 彪彦, “Ga吸着した高指数Si表面の研究 III”, 日本物理学会 2000年春の分科会 (2000, 大阪).
• 中原 仁, 宮田 真次, 鈴木 秀俊, 一宮 彪彦, “Si(113)表面におけるGa誘起ナノ構造”, ナノ構造の安定性と時間分解画像処理研究会 (2000, 名古屋).
• 中原 仁, 宮田 真次, 鈴木 秀俊, 一宮 彪彦, “Ga/Si(113)ナノファセット面でのSiエピタキシ”, 表面物理シンポジウム2000 (SSP-2000, 2000, 富良野).
• 中原 仁, 宮田 真次, 鈴木 秀俊, 一宮 彪彦, “Ga吸着した高指数Si表面の研究 I”, 日本物理学会 第54回年会 (1999, 広島).
• 中原 仁, 宮田 真次, 鈴木 秀俊, 一宮 彪彦, “RHEED/STMによるGa吸着Si(113)表面の研究”, 表面物理シンポジウム99 (SSP-99, 1999, 富良野).
• 宮田 真次, 中原 仁, 鈴木 秀俊, 一宮 彪彦, “Ga吸着した高指数Si表面の研究 II”, 日本物理学会1999年秋の分科会 (1999, 岩手).
• 樋掛 浩二, 中原 仁, 一宮 彪彦, “RHEEDロッキング曲線によるSi(113)表面構造の解析”, 日本物理学会第53回年会 (1998).
• 中原 仁, 市川 昌和, 一宮 彪彦, “サーファクタントエピタキシにおける表面拡散過程”, 日本物理学会 1998年秋の分科会 (1998, 沖縄).