最近の学会/研究会での発表

国際会議・シンポジウム

• A. Ruammaitree, H. Hu, H. Nakahara, K. Akimoto, S. Harada, K. Soda and Y. Saito, “Determination of Epitaxial Graphene Thickness by X-Ray Diffraction and Raman Spectroscopy”, 8th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices ’11 (ALC’11, 2011, Seoul).
• H. Nakahara, S. Ichikawa, T. Ochiai, Y. Kusano and Y. Saito, “Carbon Nanotube Electron Source for Field Emission Scanning Electron Microscopy”, 8th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices ’11 (ALC’11, 2011, Seoul).
• M. Karita, K. Asaka, H. Nakahara and Y. Saito, “In-situ TEM Study on the Improvement of Contact Resistance between a Carbon Nanotube and Metal Electrodes by Local Melting”, 8th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices ’11 (ALC’11, 2011, Seoul).
• H. Hu, A. Ruammaitree, H. Nakahara, K. Asaka and Y. Saito, “Growth of Large-Scale Domains of Epitaxial Graphene on C-Face SiC”, 8th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices ’11 (ALC’11, 2011, Seoul).
• M. Karita, K. Asaka, H. Nakahara and Y. Saito, “In-situ Transmission Electron Microscopy of Structural Change of the Contact between a Carbon Nanotube and Gold by Local Joule Heating”, 2010 International Symposium on Micro-NanoMechatronics and Human Science (MHS 2010, 2010, Nagoya).
• H. Nakahara, Y. Moriwaki and Y. Saito, “Ag Nano Clusters Formation by Gas Exposure onto Si(111)√3×√3-Ag Surface”, Symposium on Surface and Nano Science 2009 (SSNS’09, 2009, Shizukuishi).
• H. Nakahara, T. Yamashita and Y. Saito, “Field Emission Studies on Methane- and Ethane-Adsorbed Carbon Nanotubes”, 7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices ’09 (ALC’09, 2009, Maui).
• T. Yamashita, K. Asaka, H. Nakahara and Y. Saito, “Field Emission Microscopy of Methane Molecules Adsorbed on Multiwall Carbon Nanotube Field Emitters”, The 7th International Vacuum Electron Sources Conference (IVESC 2008, 2008, London).
• T. Yamashita, K. Asaka, H. Nakahara, S. Uemura and Y. Saito, “Field Emission Microscopy of Methane Molecules Adsorbed on Multiwalled Carbon Nanotube Field Emitters”, The 15th International Display Workshop (IDW’08, 2008, Niigata).
• H. Nakahara, Y. Kusano, T. Kono and Y. Saito, “Evaluations of Carbon Nanotube Field Emitters for Electron Microscopy”, The 4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia (VASSCAA-4, 2008, Matsue).
• H. Nakahara, M. Mino and Y. Saito, “Structural and Morphological Study on Si(113) Surface with Aluminum”, Symposium on Surface and Nano Science 2008 (SSNS’08, 2008, Appi).
• H. Nakahara, T. Tanabe and Y. Saito, “Experimental and Computational Studies on Electron Emission from Carbon Nanotubes”, The 7th International Vacuum Electron Sources Conference (IVESC 2008, 2008, London).
• H. Nakahara, Y. Kusano, T. Kono and Y. Saito, “Evaluations of Field Electron Emission from a Carbon Nanotube”, The 15th International Display Workshop (IDW’08, 2008, Niigata).
• H. Liu, H. Nakahara, S. Uemura and Y. Saito, “Ionization Vacuum Gauge with a Carbon Nanotube Cold Cathode”, The 4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia (VASSCAA-4, 2008, Matsue).
• F. Kimura, K. Asaka, H. Nakahara, F. Kokai and Y. Saito, “Electric and Mass Transport of a Copper Nano-Rod Encapsulated in a Carbon Nanotube Studied by In Situ Transmission Electron Microscopy”, The IUMRS International Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA2008, 2008, Nagoya).
• Y. Saito, T. Matsukawa, T. Yamashita, K. Asaka, H. Nakahara and S. Uemura, “Field Emission from Metal-Deposited CNTs: Emission Stability Improvement and Atomic Images of Metal Clusters”, The 14th International Display Workshops (IDW’07, 2007, Sapporo).
• Y. Saito, T. Matsukawa, T. Yamashita, K. Asaka and H. Nakahara, “Field Emission Image of Aluminum Clusters Deposited on Carbon Nanotubes”, 6th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC’07, 2007, Kanazawa).
• H. Nakahara, “Indium Induced Surface Reconstruction on Si(113) Surface”, Symposium on Surface and Nano Science 2007 (SSNS’07, 2007, Appi).
• H. Nakahara, A. Tanaka, A. Ichimiya and Y. Saito, “Indium Induced Surface Reconstruction on Si(113) Surface”, 6th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC’07, 2007, Kanazawa).
• M. Mino, H. Suzuki, H. Nakahara and Y. Saito, “Al-Induced One Dimensional Nano-Facet Formation on Si(113) Surface”, 6th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC’07, 2007, Kanazawa).
• H. Nakahara, “Metal Adsorption Effect on Field Emission from Carbon Nanotubes”, Symposium on Surface Physics 2006 (SSP’06, 2006, Shizukuishi).
• H. Nakahara, “RHEED Study on Phase Transition of Si(111)√3×√3-Ag Surface Structure”, Symposium on Surface Physics 2006 (SSP’06, 2006, Shizukuishi).
• H. Nakahara, T. Oya, Y. Saito and A. Ichimiya, “One-Beam RHEED Analysis of Ag/Si(111) HCT to IET Transition at Low Temperature”, Symposium on Surface Physics 2005 (SSP’05, 2005, Shizukuishi).
• H. Nakahara, T. Oya, Y. Saito and A. Ichimiya, “RHEED Rocking Curve Analysis of Si(111) √3×√3-Ag Surface Phase Transition at Low Temperature”, 5th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC’05, 2005, Hawaii).

国内会議・研究会

• A. Ruammaitree, H. Hu, H. Nakahara, K. Akimoto and K. Soda, “Initial Growth Stage of Epitaxial Graphene on Si-Terminated SiC (0001) in Ar”, 第72回 応用物理学会学術講演会 (2011, 山形大学).
• 中久保 一也, 安坂 幸師, 中原 仁, 齋藤 弥八, “多層グラフェンからの電界放出の電界放出顕微鏡法による研究”, 第58回 応用物理学関係連合講演会 (2011, 要旨集(神奈川工科大)).
• A. Ruammaitree, H. Hu, H. Nakahara, K. Akimoto, S. Harada, K. Soda and Y. Saito, “X-Ray Diffraction Study on Epitaxial Graphene Grown on SiC(0001)”, 第58回 応用物理学関係連合講演会 (2011, 要旨集(神奈川工科大)).
• 胡 海龍, A. Ruammaitree, 中原 仁, 安坂 幸師, 齋藤 弥八, “Epitaxial Growth of Large-Scale few-Layer Graphene on SiC(0001) by Heat Treatment in Ar Atmosphere”, 第58回 応用物理学関係連合講演会 (2011, 要旨集(神奈川工科大)).
• 苅田 基志, 安坂 幸師, 中原 仁, 齋藤 弥八, “TEMその場観察法によるカーボンナノチューブ/金属接合の電気特性の研究 II”, 第72回 応用物理学会学術講演会 (2011, 山形大学).
• 苅田 基志, 安坂 幸師, 中原 仁, 齋藤 弥八, “TEMその場観察法によるカーボンナノチューブ/金属接合の電気特性の研究”, 第58回 応用物理学関係連合講演会 (2011, 要旨集(神奈川工科大)).
• 中原 仁, 市川 俊介, 落合 知弥, 齋藤 弥八, “電界放出走査電子顕微鏡用カーボンナノチューブ電子源の開発”, 第71回 応用物理学会学術講演会 (2010, 長崎大学).
• 中原 仁, 市川 俊介, 落合 知弥, 草野 賢和, 齋藤 弥八, “電界放出走査電子顕微鏡用カーボンナノチューブ電子源の開発”, 科学研究費補助金 特定領域「カーボンナノチューブナノエレクトロニクス」平成22年度 第1回研究会 (CNT特定研究会22-1, 2010).
• 草野 賢和, 中原 仁, 齋藤 弥八, “電子顕微鏡用に向けた単一カーボンナノチューブ電子源の特性評価II”, 第57回 応用物理学関係連合講演会 (2010, 東海大学).
• 秋本 晃一, 持木 健吾, 山田 尚明, 胡 海龍, 中原 仁, 齋藤 弥八, “SiC(0001)基板上に生成したグラフェン膜のX線ラウエ関数による層数決定”, 日本物理学会 2010年秋季大会 (2010, 大阪府立大).
• A. Ruammaitree, H. Hu, H. Nakahara and Y. Saito, “Effect of Adsorption of Benzene on Field Electron Emission from a Carbon Nanotube”, 第38回記念フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム (FNT38, 2010, 名城大学).
• 垣見 洋輔, 中原 仁, 安坂 幸師, 齋藤 弥八, “エタノール熱分解による水素生成と炭素固定に関する研究”, 第38回記念フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム (FNT38, 2010, 名城大学).
• 劉 華栄, 中原 仁, 上村 佐四郎, 齋藤 弥八, “Ionization Vacuum Gauge with a Carbon Nanotube Field Electron Emitter Combined with a Shield Electrode”, 第36回記念フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム (FNT36, 2009, 名城大学).
• 中原 仁, 森脇 康博, 齋藤 弥八, “Si(111)√3×√3-Ag表面への気体暴露によるAgナノクラスタ形成”, 第56回 応用物理学関係連合講演会 (2009, 筑波大学).
• 中原 仁, 山本 雄太, 劉 華栄, 齋藤 弥八, “チタンコートによるカーボンナノチューブ電子源の性能向上”, 科学研究費補助金 特定領域「カーボンナノチューブナノエレクトロニクス」平成21年度 第1回研究会 (CNT特定研究会21-1, 2009, 淡路夢舞台).
• 草野 賢和, 安坂 幸師, 中原 仁, 齋藤 弥八, “電子顕微鏡用に向けたカーボンナノチューブ電界エミッタの特性評価”, 第56回 応用物理学関係連合講演会 (2009, 筑波大学).
• 草野 賢和, 安坂 幸師, 中原 仁, 齋藤 弥八, “電子顕微鏡用に向けたカーボンナノチューブ電界エミッタの電界放出特性”, 第36回記念フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム (FNT36, 2009, 名城大学).
• 浅井 智仁, 安坂 幸師, 中原 仁, 齋藤 弥八, “金蒸着したカーボンナノチューブの電界放出その場TEM観察”, 第70回 応用物理学会学術講演会 (2009, 富山大学).
• 浅井 智仁, 安坂 幸師, 中原 仁, 齋藤 弥八, “その場透過電子顕微鏡法による金蒸着したカーボンナノチューブの電界放出評価”, 第37回記念フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム (FNT37, 2009, つくば国際会議場).
• 山本 雄太, 劉 華栄, 野村 航大, 中原 仁, 齋藤 弥八, “多層カーボンナノチューブからの電界放出に及ぼすチタン蒸着の効果”, 第37回記念フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム (FNT37, 2009, つくば国際会議場).
• 山下 徹也, 安坂 幸師, 中原 仁, 齋藤 弥八, “カーボンナノチューブからの電界電子放出に及ぼす炭化水素ガス吸着の効果”, 第36回記念フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム (FNT36, 2009, 名城大学).
• 安坂 幸師, 浅井 智仁, 中原 仁, 喜多 隆, 齋藤 弥八, “TEMその場観察法によるカーボンナノチューブの構造と電子放出の評価”, 科学研究費補助金 特定領域「カーボンナノチューブナノエレクトロニクス」平成21年度 第1回研究会 (CNT特定研究会21-1, 2009, 淡路夢舞台).
• 齋藤 弥八, 中原 仁, 安坂 幸師, “カーボンナノチューブ電子源の電界放出顕微鏡法およびその場透過電子顕微鏡法による研究”, 科学研究費補助金 特定領域「カーボンナノチューブナノエレクトロニクス」平成20年度 第1回研究会 (CNT特定研究会20-1, 2008, メルパルク名古屋).
• 劉 華栄, 中原 仁, 上村 佐四郎, 齋藤 弥八, “カーボンナノチューブ冷陰極を用いた電離真空計”, 第69回 応用物理学会学術講演会 (2008, 中部大学).
• 木村 文隆, 安坂 幸師, 中原 仁, 小海 文夫, 齋藤 弥八, “カーボンナノチューブに内包された銅ナノロッドの物質移動のその場観察”, 第69回 応用物理学会学術講演会 (2008, 中部大学).
• 木村 文隆, 安坂 幸師, 中原 仁, 小海 文夫, 齋藤 弥八, “銅ナノロッド内包カーボンナノチューブの電気・物質移動の研究”, 第35回記念フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム (FNT35, 2008, 東工大).
• 中原 仁, 草野 賢和, 齋藤 弥八, “多層カーボンナノチューブ電界放出電子源の輝度評価”, 科学研究費補助金 特定領域「カーボンナノチューブナノエレクトロニクス」平成20年度 第2回研究会 (CNT特定研究会20-2, 2008, KKRホテル熱海).
• 草野 賢和, 安坂 幸師, 中原 仁, 齋藤 弥八, “電子顕微鏡用カーボンナノチューブ電界放出エミッタの電子光学的評価”, 第35回記念フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム (FNT35, 2008, 東工大).
• 森脇 康博, 中原 仁, 齋藤 弥八, “表面再配列構造に起因する表面電気伝導の測定環境依存”, 第69回 応用物理学会学術講演会 (2008, 中部大学).
• 山下 徹也, 安坂 幸師, 中原 仁, 齋藤 弥八, “カーボンナノチューブへのメタン吸着の電界放出顕微鏡法による研究”, 第55回 応用物理学関係連合講演会 (2008, 日本大学).
• 山下 徹也, 安坂 幸師, 中原 仁, 齋藤 弥八, “カーボンナノチューブへのメタン吸着の電界放出顕微鏡法による研究”, 第34回 フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム (FNT34, 2008, 名城大学).
• 河野 匠, 安坂 幸師, 中原 仁, 齋藤 弥八, “カーボンナノチューブ電界放出エミッタの電子光学的評価”, 第34回 フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム (FNT34, 2008, 名城大学).
• 永津 秀俊, 安坂 幸師, 中原 仁, 齋藤 弥八, “反射高速電子回折によるカーボンナノチューブの化学気相成長過程の研究”, 第34回 フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム (FNT34, 2008, 名城大学).
• 安坂 幸師, 中原 仁, 齋藤 弥八, “その場顕微鏡法による単一カーボンナノチューブエミッタの作製と電界放出”, 日本物理学会 第63回年次大会 (2008, 近畿大学).
• 安坂 幸師, 中原 仁, 齋藤 弥八, “ナノ溶接した単一カーボンナノチューブエミッタの電界放出特性”, 第55回 応用物理学関係連合講演会 (2008, 日本大学).
• 安坂 幸師, 中原 仁, 齋藤 弥八, “多層カーボンナノチューブの金属表面への溶接過程その場観察”, 第34回 フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム (FNT34, 2008, 名城大学).
• 美濃 匡志, 中原 仁, 齋藤 弥八, 鈴木 秀俊, 一宮 彪彦, “Al/Si(113)表面の研究”, 日本物理学会 2007年春季大会 (2007, 鹿児島).
• 田中 淳, 西岡 秀雄, 中原 仁, 一宮 彪彦, 齋藤 弥八, “In/Si(113)の表面再配列構造の研究 III”, 日本物理学会 2007年春季大会 (2007, 鹿児島).
• 中原 仁, R. Suryana, 一宮 彪彦, 齋藤 弥八, “炭化水素ガスによるSi(111)表面の炭化初期過程”, 第37回 結晶成長国内会議 (2007, 札幌, 招待講演).
• 田中 淳, 西岡 秀雄, 中原 仁, 一宮 彪彦, 齋藤 弥八, “In/Si(113)の表面再配列構造の研究 II”, 日本物理学会 第61回年次大会 (2006, 松山).
• R. Suryana, 一宮 彪彦, 中原 仁, 齋藤 弥八, “Study of Reaction of Si(111) Surface with Ethane”, 第67回 応用物理学会学術講演会 (2006, 滋賀).
• 大屋 強, 中原 仁, 鈴木 猛司, 一宮 彪彦, 齋藤 弥八, “Ag/Si(111)√3×√3 表面の低温構造の解析 IV”, 日本物理学会 2005年秋季大会 (2005, 京都).
• R. Suryana, A. Ichimiya, H. Nakahara and Y. Saito, “Carbonization of Si(111) Surface Using Methane with Hot Filament”, 第52回 応用物理学関係連合講演会 (2005, 埼玉).